現(xiàn)代芯片技術(shù)的起源可追溯至1947年貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明的晶體管,這項(xiàng)突破性發(fā)明取代了笨重的真空管,使得電子設(shè)備小型化成為可能。1958年,德州儀器的杰克·基爾比成功將多個(gè)晶體管集成到單塊鍺片上,創(chuàng)造了世界上第一塊集成電路原型。這個(gè)僅有拇指大小的裝置包含了5個(gè)元件,卻開(kāi)啟了半導(dǎo)體工業(yè)的革命。隨著摩爾定律的提出,芯片上的晶體管數(shù)量每1824個(gè)月翻倍,這種指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)持續(xù)推動(dòng)了計(jì)算能力的飛躍。從早期僅含幾千個(gè)晶體管的4004處理器,到如今蘋果M2 Ultra芯片搭載的1340億個(gè)晶體管,芯片制造工藝已從微米級(jí)演進(jìn)至納米級(jí),臺(tái)積電最新3nm工藝能在1平方毫米面積上集成近3億個(gè)晶體管。
芯片制造堪稱人類最復(fù)雜的工業(yè)流程之一,需要在無(wú)塵室環(huán)境中完成上千道工序。光刻技術(shù)作為核心環(huán)節(jié),使用極紫外光(EUV)在硅片上刻制比病毒還小的電路圖案。ASML的EUV光刻機(jī)價(jià)值1.5億美元,包含10萬(wàn)個(gè)零件,其光學(xué)系統(tǒng)需要將激光打在錫滴上產(chǎn)生等離子體,進(jìn)而發(fā)射13.5nm波長(zhǎng)的光。晶圓經(jīng)歷數(shù)百次沉積、蝕刻、摻雜后,一塊300mm直徑的硅片可切割出數(shù)百顆芯片。良率控制至關(guān)重要,即使99.9%的工序合格率,經(jīng)過(guò)1000道工序后整體良率將驟降至36%。先進(jìn)的封裝技術(shù)如臺(tái)積電的CoWoS將不同工藝節(jié)點(diǎn)的芯片三維堆疊,突破單晶片性能極限。
傳統(tǒng)CPU的馮·諾依曼架構(gòu)正被異構(gòu)計(jì)算范式取代?,F(xiàn)代芯片往往集成CPU、GPU、NPU、ISP等多種處理單元,例如高通驍龍8 Gen 2采用1+4+3的三叢集CPU設(shè)計(jì),搭配Adreno GPU和Hexagon DSP。谷歌TPU采用脈動(dòng)陣列架構(gòu)優(yōu)化矩陣運(yùn)算,處理AI工作負(fù)載時(shí)能效比達(dá)傳統(tǒng)CPU的30倍。AMD 3D VCache技術(shù)通過(guò)硅通孔(TSV)垂直堆疊192MB緩存,使游戲性能提升15%。神經(jīng)形態(tài)芯片如英特爾Loihi模擬人腦突觸結(jié)構(gòu),在處理時(shí)空數(shù)據(jù)時(shí)功耗僅為傳統(tǒng)芯片的千分之一。這些創(chuàng)新推動(dòng)芯片從通用計(jì)算轉(zhuǎn)向場(chǎng)景專用架構(gòu)。
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已形成設(shè)計(jì)制造封測(cè)的垂直分工體系。美國(guó)占據(jù)EDA工具(新思科技、Cadence)和IP核(ARM)等上游制高點(diǎn),韓國(guó)三星和海力士主導(dǎo)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng),中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)積電壟斷全球54%的晶圓代工份額。中國(guó)大陸在封測(cè)環(huán)節(jié)具有一定優(yōu)勢(shì),長(zhǎng)電科技全球市占率達(dá)10.8%。受地緣政治影響,各國(guó)加速本土供應(yīng)鏈建設(shè),美國(guó)《芯片法案》提供527億美元補(bǔ)貼,歐盟《芯片法案》計(jì)劃2030年將產(chǎn)能占比提升至20%。RISCV開(kāi)源架構(gòu)的興起正在改變ARM的IP授權(quán)模式,中科院"香山"處理器已采用該架構(gòu)實(shí)現(xiàn)14nm流片。
隨著硅基芯片逼近物理極限,產(chǎn)業(yè)界正在探索多種替代方案。IBM研發(fā)的2nm芯片采用納米片(GAA)晶體管結(jié)構(gòu),相較FinFET提升45%性能或降低75%功耗。碳納米管晶體管實(shí)驗(yàn)室樣品已展示出5倍于硅器件的能效比,但量產(chǎn)仍需解決材料純度問(wèn)題。光子芯片利用光波代替電子傳輸數(shù)據(jù),傳輸損耗降低三個(gè)數(shù)量級(jí)。量子芯片則通過(guò)量子比特實(shí)現(xiàn)并行計(jì)算,谷歌"懸鈴木"處理器已在特定任務(wù)上實(shí)現(xiàn)"量子優(yōu)越性"。存儲(chǔ)器領(lǐng)域,相變內(nèi)存(PCM)和阻變存儲(chǔ)器(RRAM)有望突破閃存讀寫壽命限制,英特爾Optane產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)微秒級(jí)延遲。
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